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GL4 R&D是一種專門為大學、科研院所和企業產品研發所設計，功能強大的多功能研發型納米壓印光刻設備。通過簡單的夾具更換，可以實現旋涂壓印膠高精度納米結構壓印和點膠大矢高結構自動找平壓印模式之間的快速切換。
GL4 R&D是一種專門為大學、科研院所和企業產品研發所設計，功能強大的多功能研發型納米壓印光刻設備。通過簡單的夾具更換，可以實現旋涂壓印膠高精度納米結構壓印和點膠大矢高結構自動找平壓印模式之間的快速切換。可實現直徑100mm以下基底面積上高精度（優于10nm * ）、高深寬比（優于10比1 * ）以及微透鏡陣列等微納結構壓印，適合用作紫外納米壓印光刻工藝開發，器件原型快速驗證，納米壓印材料測試等研發。它沿用天仁微納量產型納米壓印設備的工藝與材料體系，在GL4 R&D上開發的工藝可以無障礙轉移到量產設備上進行生產。
GL4 R&D納米壓印設備適用于DOE、AR/VR衍射光波導（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列、勻光片等應用領域的研發。
●沿用天仁微納量產型納米壓印設備的工藝與材料體系，開發的工藝可以無障礙轉移到量產設備上進行生產
●可實現旋涂膠基底壓印和點膠自動找平壓印模式間快速切換
●最大壓印面積Φ100mm
●設備內可自動復制柔性復合工作模具
●壓印旋涂膠基底模式可實現自動壓印、自動曝光固化、自動脫模
●點膠壓印模式可實現自動找平，實現微米級TTV控制，內置自動點膠功能
●標配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>300mW/cm2 ），完美支持各種納米壓印材料
●可選配模具基底對位系統
●隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結構、微透鏡陣列、勻光片結構等工藝流程，幫助客戶零門檻達到國際領先的納米壓印水平
| 兼容基底尺寸 | 直徑≤100mm | ||
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 | ||
| 納米壓印技術 |
旋涂膠基底高精度壓印&點膠自動找平壓印 旋涂膠基底壓印模式? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 點膠自動找平壓印模式 |
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| 壓印精度 | 優于10納米* | ||
| 結構深寬比 | 優于10比1* | ||
| 殘余層控制 | 可小于10nm*? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微米級TTV控制精度 | ||
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光強>300mW/cm2 | ||
| 自動壓印 | 支持? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 支持 | ||
| 自動脫模 | 支持? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 支持 | ||
| 自動工作模具復制 | 支持?支持 | ||
| 主動找平壓印 | -? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?支持 | ||
模自動點膠 |
支持 |
模具基底對位系統 |
手動對位（選配） |
| 上下片方式 | 手動上下片 |
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